英飞凌igbt7和igbt6的开关损耗对比？

英飞凌（Infineon）的 IGBT7 （如 T7、E7 系列）和 IGBT6 （如 T6、E6 系列）在开关损耗上的对比，主要取决于应用场景（电机驱动 vs 新能源/逆变）和芯片优化方向。下面按典型情况对比说明：

1. 总体结论（先说重点）

IGBT7 的开关损耗（Eon + Eoff）通常比 IGBT6 更低或持平 ，尤其在 中低频、电机驱动类应用 中优势明显。

IGBT7 更强调“饱和压降 Vce（sat） 更低 + 开关损耗优化" ，整体效率更高。

在 高频硬开关（如几十 kHz 以上） 场景，IGBT7 仍优于 IGBT6，但二者都会受限于 IGBT 物理极限。

2. 典型参数对比（同电压等级，如 1200V 级）

项目                      IGBT6（如 FS6 / T6）      IGBT7（如 T7 / E7）          对比说明

Vce（sat）                 较高                          更低（约降 10–20%）      IGBT7 导通损耗更小    

Eon（开通损耗）       基准                          略低或相当                        IGBT7 优化拖尾电流    

Eoff（关断损耗）       基准                          更低                                   关断拖尾更短    

总开关损耗                 基准                          降低约 5–15%                   视电流/温度而定    

最高允许结温             通常 150°C                 175°C                              IGBT7 散热余量更好    

注：具体数值需看数据手册（如 FF/FS 模块、EasyPACK、 EconoPACK 等）

3. 应用层面的差异

电机驱动（变频器、伺服、压缩机）

IGBT7 优势最1明显

典型开关频率： 2–16 kHz

结果： 开关损耗下降 + 导通损耗下降 → 温升更低

 新能源（光伏、储能、电焊）

IGBT7（如 EasyPACK / PrimePACK）

开关频率中等

效率提升明显，尤其轻载效率

 超高频（>30–50 kHz）

两者都不如 SiC MOSFET

IGBT7 仅是“比 IGBT6 好一点"

4. 为什么 IGBT7 开关损耗更低？

更薄的芯片结构

优化的载流子分布

更短关断拖尾电流

更好的沟槽栅控制（微沟槽 MPT）

5. 实际选型建议

原来用 IGBT6，想降损耗/降温 → 优先换 IGBT7

同封装 Pin-to-Pin → 很多可直接替代

高频硬开关且效率极1端敏感 → 考虑 SiC